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J-GLOBAL ID：200903035715931234

III族窒化物系化合物半導体発光素子

Inventor：
上村 俊也

About 上村 俊也


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 小西 富雅 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002120269
Publication number (International publication number)：2003168823
Application date： Apr. 23, 2002
Publication date： Jun. 13, 2003
Summary：
【要約】【課題】 p側電極におけるAgのマイグレーションを抑制し、高輝度かつ信頼性の高いIII族窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 同一面側にp側電極及びn側電極が形成されるIII族窒化物系化合物半導体発光素子(フリップチップタイプの発光素子)において、p側電極を、p型半導体層の上に形成されるAg含有の第1金属層と、一部領域を除いて該第1金属層を被覆する保護膜と、該保護膜の上に形成されるAg非含有の第2金属層とを含んで構成する。
Claim (excerpt)：
同一面側にp側電極及びn側電極が形成されるIII族窒化物系化合物半導体発光素子であって、前記p側電極が、p型半導体層の上に形成されるAg含有の第1金属層と、一部領域を除いて該第1金属層を被覆する絶縁性の保護膜と、該保護膜の上に形成されるAg非含有の第2金属層と、を含むIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (4)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41
FI (5)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/44 S
F-Term (41)：
4M104AA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104DD06 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD31 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104DD83 ,  4M104EE08 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH01 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA86 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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