発光半導体の方法及び装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002071027
Publication number (International publication number)：2003243705
Application date： Feb. 07, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 III-V族窒化物半導体を用いるデバイス及び方法、並びにこれの動作の改良に関する。【解決手段】発光デバイスは、複数の半導体層と、層内の活性領域と、異なる半導体層に接触する第1及び第2の金属電極とを含む。発光デバイスはまた、少なくとも1つの電極から、該電極と接触している半導体層への金属のマイグレーションを防ぐためのマイグレーション障壁を含む。いくつかの実施形態において、電極の1つは銀であり、半導体層はIII-V族窒化物半導体層である。いくつかの実施形態において、マイグレーション障壁は、少なくとも1つの電極の周縁を取り囲む保護リングである。別の実施形態において、マイグレーション障壁は、少なくとも1つの電極の表面を覆う保護シートである。

Claim (excerpt)：

複数の半導体層を有し、前記層内に活性領域を含む半導体構造と、前記構造における異なる半導体層のそれぞれに接する第1及び第2の導電性の金属電極と、少なくとも1つの前記電極から、前記少なくとも1つの電極が接触している半導体層の表面へ金属がマイグレーションすることを防ぐためのマイグレーション障壁と、を含むことを特徴とする発光デバイス。

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E

F-Term (8)：

5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA86 , 5F041CA88 , 5F041CA93 , 5F041CB15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

窒化ガリウム系化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-036619 Applicant：豊田合成株式会社
電極に銀を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-345585 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
反射p電極を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-345584 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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