半導体発光素子とこれを用いた半導体発光装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998287623
Publication number (International publication number)：1999191641
Application date： Oct. 09, 1998
Publication date： Jul. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】発光層からp側電極に向かう光を高い反射効率で光取り出し面側に反射させて高い発光効率が得られるフリップチップ型の半導体発光素子の提供。【解決手段】透明のサファイア基板1aの上にn型層及びp型層の半導体積層膜を形成し、基板1aと対向する同一側の面にn側電極2及びp側電極3を備え、p側電極3を、p側半導体積層膜にオーミック接続可能な金属材料によるオーミック層3aと、これに積層された銀白色系の反射率の高いたとえばAlやAg及びZn等の金属材料による反射層3bの積層体とする。

Claim (excerpt)：

透明の結晶基板の上にn型層及びp型層を成長させた半導体積層膜構造を持ち、結晶基板と反対側の面上にn型層及びp型層とそれぞれオーミック接続するn側電極及びp側電極を備え、n側及びp側電極形成面と反対側の面を光取り出し面としたフリップチップ型の半導体発光素子であって、p側電極をp側半導体積層膜にオーミック接続可能な金属材料によるコンタクト層と、このコンタクト層の上に反射率の高い銀白色系金属材料による反射層の積層体としてなるフリップチップ型半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭57-106087
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-125033 Applicant：豊田合成株式会社
発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-222627 Applicant：旭化成工業株式会社

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