Pat
J-GLOBAL ID：200903021949931237

パターン形成方法及び被覆膜形成用材料

Inventor：
石川 清

About 石川 清

, 
越山 淳

About 越山 淳

, 
脇屋 和正

About 脇屋 和正


Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

About 東京応化工業株式会社


Agent (1)： 正林 真之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006265115
Publication number (International publication number)：2008083537
Application date： Sep. 28, 2006
Publication date： Apr. 10, 2008
Summary：
【課題】ダブルパターニング法における工程数を低減できる新規なパターン形成方法、及び該パターン形成方法に好適に用いられる被覆膜形成用材料を提供する。【解決手段】支持体1上に第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜2を形成し、第一のレジスト膜2を選択的に露光し、現像して複数の第一のレジストパターン3を形成し、第一のレジストパターン3の表面にそれぞれ水溶性樹脂膜からなる被覆膜4を形成して複数の被覆パターン5を形成し、該被覆パターン5が形成された支持体1上に第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜6を形成し、第二のレジスト膜6を選択的に露光し、現像することにより、複数の被覆パターン5と、第二のレジスト膜6に形成された第二のレジストパターン7とからなるパターンを支持体1上に形成する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
化学増幅型レジスト組成物を用いてパターンを形成するパターン形成方法であって、 支持体上に、第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程と、 前記第一のレジスト膜を、第一のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、 前記第一のレジストパターンの表面に、水溶性樹脂膜からなる被覆膜を形成して被覆パターンを形成する工程と、 前記被覆パターンが形成された前記支持体上に第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程と、 前記第二のレジスト膜を、第二のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して第二のレジストパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (6)：
G03F 7/40 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/26 ,  G03F 7/20 ,  H01L 21/027
FI (7)：
G03F7/40 511 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/26 ,  G03F7/20 501 ,  H01L21/30 502C ,  H01L21/30 570
F-Term (27)：
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD00 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA39 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096HA30 ,  2H096KA01 ,  2H097AA11 ,  2H097JA04 ,  2H097LA10 ,  5F046AA13 ,  5F046AA25 ,  5F046BA03 ,  5F046LA18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (6)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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