トランジスタ、およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006238994
Publication number (International publication number)：2007110091
Application date： Sep. 04, 2006
Publication date： Apr. 26, 2007
Summary：

【課題】CMOSデバイス設計に適した仕事関数をもつメタルゲート電極を提供する。【解決手段】トランジスタおよびその製造工程が開示されている。相補型金属酸化膜半導体(CMOS)デバイスは、第1の厚さを有する第1ゲート電極を含むPMOSトランジスタと、第2の厚さを有する第2ゲート電極を含むNMOSトランジスタとを含み、第1の厚さは、第2の厚さよりも大きい。第1ゲート電極および第2ゲート電極は、同じ材料を含んでいることが好ましく、例として、TiSiN、TaNまたはTiNを含んでいるとよい。第1ゲート電極および第2ゲート電極の厚さによって、PMOSトランジスタおよびNMOSトランジスタの仕事関数が設定される。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

第1の厚さを有する第1ゲート電極を含む第1トランジスタと、上記第1トランジスタに近接する第2トランジスタとを含み、上記第2トランジスタは、上記第1の厚さと異なる第2の厚さを有する第2ゲート電極を含むことを特徴とする半導体デバイス。

IPC (7)：

H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/78

FI (7)：

H01L27/08 321D , H01L29/78 613A , H01L29/78 617M , H01L29/78 617T , H01L21/28 301R , H01L29/58 G , H01L29/78 301G

F-Term (99)：

4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD33 , 4M104DD43 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD77 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104FF06 , 4M104GG10 , 5F048AA09 , 5F048AC03 , 5F048AC04 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB04 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB13 , 5F048BB14 , 5F048BE03 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F110AA04 , 5F110BB04 , 5F110CC01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE09 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE25 , 5F110EE31 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG52 , 5F110HJ13 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN33 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA05 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BG08 , 5F140BG27 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG37 , 5F140BK13 , 5F140CB04 , 5F140CB08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

金属ゲートスタック制御を伴うMOSFETしきい値電圧調整
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-007398 Applicant：シャープ株式会社
半導体素子とその作製法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-500973 Applicant：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド
デュアルメタルゲート構造を形成するためのプロセス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-509809 Applicant：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド

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