半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005005506
Publication number (International publication number)：2006196610
Application date： Jan. 12, 2005
Publication date： Jul. 27, 2006
Summary：

【課題】高誘電率のゲート絶縁膜を有する相補型電界効果トランジスタより成り、閾値変動を小さく抑制することの可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置は、P型及びN型の電界効果トランジスタより成る。前記P型のトランジスタは、第1の仕事関数値を有し、第1の金属材料に富んだ第1材料層211-1より成る第1ゲート電極を有する。前記N型のトランジスタは、第2の仕事関数値を有し、第2の金属材料に富んだ第2材料層211-2より成る第2ゲート電極を有する。前記第1及び第2材料層は異なる膜厚を有する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

第1及び第2の素子分離領域を含む基板に絶縁膜を成膜し、前記絶縁膜上に第1の金属材料の層を成膜し、前記第1の導電性材料の層上に第2の金属材料の層を成膜し、前記第1の素子分離領域上の前記第2の金属材料の層の少なくとも一部を除去し、前記第1及び第2の素子分離領域上の構造が電気的に分離されるように、エッチングを行い、熱処理を行って、前記第1及び前記第2の金属材料を合金化することを特徴とする相補型の半導体装置を製造する製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/092 , H01L 21/823 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (3)：

H01L27/08 321D , H01L21/28 301R , H01L29/58 G

F-Term (35)：

4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD79 , 4M104DD83 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F048AA07 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

デュアルゲートを有するCMOS型半導体装置形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-107118 Applicant：三星電子株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-072958 Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (5)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-101326 Applicant：ソニー株式会社
金属及び対応する金属珪化物から形成した各ゲートを有する相補形トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-364046 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド
デュアルメタルゲート電極を有するCMOSデバイスの製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-508066 Applicant：ナショナルユニバーシティーオブシンガポール, エージェンシーフォーサイエンス,テクノロジーアンドリサーチ

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