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J-GLOBAL ID：200903022048651380
p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999207942
Publication number (International publication number)：2001035796
Application date： Jul. 22, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：
【要約】【課題】 p型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体より高キャリア濃度のp型窒化ガリウム系化合物半導体を製造する方法の提供。【解決手段】 気相成長法によりp型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を水素を吸蔵する能力を有する金属又は合金の存在下に熱処理して、p型不純物を活性化し、これによって、高キャリア濃度のp型窒化ガリウム系化合物半導体を得る。
Claim (excerpt)：
気相成長法によって、p型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を形成し、得られたp型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を水素を吸蔵する能力を有する金属又は合金と共に熱処理することを特徴とするp型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
F-Term (15)：
5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC07
, 5F045AC12
, 5F045AD11
, 5F045AE19
, 5F045BB16
, 5F045CA10
, 5F045CA12
, 5F045DA66
, 5F045EM02
, 5F045EM08
, 5F045EM09
, 5F045HA16
, 5F045HA23
Cited by examiner (5)
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