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J-GLOBAL ID：200903022056706851

中性子検出装置及びその使用方法

Inventor： 石田 武和 ,  岡安 悟 ,  片桐 政樹
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構 ,  公立大学法人大阪府立大学 ,  独立行政法人 日本原子力研究開発機構
Agent (3)： 北村 修一郎 ,  東 邦彦 ,  三宅 一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006320605
Publication number (International publication number)：2008134153
Application date： Nov. 28, 2006
Publication date： Jun. 12, 2008
Summary：

【課題】時間分解能が高い中性子検出装置を提供する。【解決手段】基板と、この基板の表面に設けられた超伝導材料で構成されるストリップラインと、このストリップラインの両端にそれぞれ設けられた電極部とを有する中性子検出素子2と、中性子検出素子2のストリップラインの抵抗値の変化を表す信号を出力する検出回路3と、所定の目標バイアス電流を中性子検出素子2に供給する電源4と、中性子検出素子2の目標バイアス電流での抵抗-温度特性における、温度変化に対する抵抗変化が最も大きい温度領域内の温度を目標温度として、中性子検出素子2の温度制御を行う温度制御装置5と、を有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、この基板の表面に設けられた超伝導材料で構成されるストリップラインと、このストリップラインの両端にそれぞれ設けられた電極部とを有する中性子検出素子と、 前記中性子検出素子のストリップラインの抵抗値の変化を表す信号を出力する検出回路と、 所定の目標バイアス電流を前記中性子検出素子に供給する電源と、 前記中性子検出素子の前記目標バイアス電流での抵抗-温度特性における、温度変化に対する抵抗変化が最も大きい温度領域内の温度を目標温度として、前記中性子検出素子の温度制御を行う温度制御装置と、 を有する中性子検出装置。

IPC (4)：

G01T 3/00 ,  G01T 1/26 ,  H01L 39/00 ,  G01T 1/12

FI (4)：

G01T3/00 G ,  G01T1/26 ,  H01L39/00 Z ,  G01T1/12

F-Term (9)：

2G088FF09 ,  2G088GG22 ,  2G088GG30 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ33 ,  2G088KK40 ,  4M113AC24 ,  4M113AD36 ,  4M113CA16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 超伝導体を用いた光子及び放射線及び中性子の検出法及びその2次元イメージング法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-195150   Applicant：日本原子力研究所, 独立行政法人産業技術総合研究所

Cited by examiner (3)

• 超伝導素子、それを用いた中性子検出装置及び超伝導素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-101498   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構, 独立行政法人情報通信研究機構, 大阪府
• 放射線計測装置およびそれを用いた分析装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-160800   Applicant：エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社
• 特開平2-227690