窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000164300
Publication number (International publication number)：2001345477
Application date： Jun. 01, 2000
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の発光層を含む積層構造が形成されていない裏面側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持することができる新規な構造を提供することを目的とする。【解決手段】 n型の窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板1の上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型クラッド層2と発光層4とp型クラッド層6とp型コンタクト層7の積層構造が設けられ、n側電極を、前記積層構造の表面側からその一部を除去させて露出された前記基板1の表面に接して設けることによって、主発光面側に配置される電極を不要とし発光素子直上の配光分布を均一なものとすることができる。

Claim (excerpt)：

第一の主面と第二の主面を有する透光性のn型の窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板の第一の主面上に、少なくとも窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型クラッド層と発光層とp型クラッド層とp型コンタクト層とが積層された積層構造が設けられ、n側電極が前記積層構造の表面側からその一部を除去させて露出された前記基板の表面に直接接して設けられ、p側電極が前記p型コンタクト層の表面に接して設けられ、前記基板の前記第二の主面が主発光面であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

F-Term (19)：

5F041AA04 , 5F041AA14 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA13 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA53 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA74 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F041DA02 , 5F041DA07 , 5F041DB01 , 5F041DB07 , 5F041DB09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化ガリウム系半導体発光素子および発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-009862 Applicant：株式会社東芝
フィルタ付き半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-189565 Applicant：ローム株式会社
表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-009276 Applicant：日亜化学工業株式会社

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