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J-GLOBAL ID:200903022079147914

パワーモジュールとその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 池内 寛幸 (外5名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000169388
Publication number (International publication number):2001057408
Application date: Jun. 06, 2000
Publication date: Feb. 27, 2001
Summary:
【要約】【課題】 放熱性に優れ、且つ、高密度小型化に適したパワーモジュールおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁体層104と、絶縁体層104の表面に形成されたリード102と、リード102と電気的に接続された半導体チップ101と、絶縁体層104の裏面に形成されたヒートシンク105とを備え、絶縁体層104を、無機フィラー70〜95重量部および熱硬化性樹脂組成物5〜30重量部を含有する層とし、半導体チップ101を、絶縁体層104内に封止し、且つ、リード102の絶縁体層側の面にフリップチップボンディングにより実装した。
Claim (excerpt):
無機フィラーおよび熱硬化性樹脂組成物を含有する絶縁体層と、前記絶縁体層の表面に形成されたリードと、前記リードの前記絶縁体層側の面に実装された少なくとも1つの半導体チップと、前記絶縁体層の裏面に形成されたヒートシンクとを備え、前記半導体チップが、フリップチップボンディングにより前記リードに実装されており、且つ、前記絶縁体層内に封止されているパワーモジュール。
IPC (2):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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