位相シフトマスクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤村康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999060925
Publication number (International publication number)：1999316454
Application date： Mar. 31, 1997
Publication date： Nov. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】耐酸性、耐光性、導電性、屈折率(膜厚)、透過率、位相シフト量及びエッチング選択性などの膜特性に優れた光半透過部を有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法及び位相シフトマスクブランクスの製造方法を提供する。【解決手段】位相シフトマスクブランクの製造方法において、透明基板を窒素を含む混合ガス雰囲気中に置き、金属とシリコンとの混合ターゲットをDCスパッタリングして、透明基板1上に、窒素、金属及びシリコンを主たる構成要素とする物質からなる光半透過薄膜3aを形成する。

Claim (excerpt)：

透明基板上に形成する薄膜パターン(マスクパターン)を、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を透過した光の位相をシフトさせて、該光半透過部を透過した光の位相と前記光透過部を透過した光の位相とを異ならしめることにより、前記光半透過部と光透過部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラストを向上させる位相シフトマスクの素材として用いられる位相シフトマスクブランクの製造方法であって、前記透明基板を窒素を含む混合ガス雰囲気中に置き、金属とシリコンとの混合ターゲットをDCスパッタリングして、透明基板上に、窒素、金属及びシリコンを主たる構成要素とする物質からなる光半透過薄膜を形成することを特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 A , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 528

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-323845 Applicant：ホーヤ株式会社
露光用マスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-165094 Applicant：株式会社東芝
減衰位相シフト・マスク作成用の薄膜材料及びその作成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-024037 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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