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J-GLOBAL ID：200903037504684730

ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法並びにスパッタターゲット

Inventor：
雨宮 勲

About 雨宮 勲

, 
安中 憲道

About 安中 憲道


Applicant, Patent owner：
ホーヤ株式会社

About ホーヤ株式会社


Agent (1)： 阿仁屋 節雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993216478
Publication number (International publication number)：1995064272
Application date： Aug. 31, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】 単純な膜構成でしかも適度な導電性を有する光半透過膜を比較的簡単に形成できるハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供する。【構成】 ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程において、透明基板1上に光半透過膜2aを形成する工程を、酸素を含むクロムからなるターゲットを用い、実質的に酸素を含まない雰囲気でのスパッタリングによって行う。また、スパッタターゲットは、クロムと酸化クロムとを所定に割合で混合してクロムと酸素との組成比を所定の組成比にして形成したものである。
Claim (excerpt)：
微細パターン露光を施すためのマスクであって、透明基板の表面上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過した光の位相と前記光透過部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記光透過部と光半透過部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消し合うようにして境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクを製造する際の素材として用いるものであり、透明基板上に光半透過膜が形成されており、この光半透過膜が、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過する性質と、露光光の位相を所定量シフトさせる性質と、電子線描画の際に電荷が帯電しない程度以上の導電性とを兼ね備えたものであるハーフトーン型位相シフトマスクブランクを製造するハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法において、前記透明基板上に前記光半透過膜を形成する工程を、酸素を含むクロムからなるターゲットを用い、実質的に酸素を含まない雰囲気でのスパッタリングによって行うことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法。
IPC (2)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2)：
H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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