半導体装置の製造方法と半導体装置及び電子回路装置の製造方法と電子回路装置

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井桁貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994168385
Publication number (International publication number)：1996031835
Application date： Jul. 20, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】フリップチップ接合を用いた半導体装置の製造方法と半導体装置、及び液体金属電気接点を用いた電子回路装置の製造方法と電子回路装置に関し、フリップチップ接合及び液体金属接点による接続抵抗の低減及び安定化を図る。【構成】半導体チップ1のAl電極2上に第1のバンプ3を形成し、回路基板6の電極5上に第2のバンプ4を形成し、第1のバンプ3の融点以下の温度で第1のバンプ3と第2のバンプ4とを接合する構成と、半導体装置の使用環境温度下で液相と固相を持つはんだ8を用いて、少なくともチップ状の半導体素子1の電極2が回路基板6の電極5に接続されている構成、及び電極上にガリウムを含む液体金属の電気接点を形成するに際し、電極上にガリウムと共晶合金化する下地金属層を形成した後、その上にガリウムとフラックスビヒクルからなる混合体を印刷し、熱処理する構成。

Claim (excerpt)：

はんだに濡れない電極(2) を有するチップ状の半導体素子(1) を該はんだに濡れない電極(2) を介して回路基板(6) 上に接続搭載するに際して、該はんだに濡れない電極(2) 上に共晶反応を起こす合金の成分金属aからなる第1のバンプ(3) を形成し、該回路基板(6) の対応する電極(5) 上に該共晶反応を起こす合金の成分金属bからなる第2のバンプ(4) を形成し、該第1のバンプ(3) と該第2のバンプ(4) を突き合わせた後に、該第1のバンプ(3) と第2のバンプ(4) の突き合わせ部分を該成分金属aの融点以下の温度に加熱して該第1のバンプ(3) と第2のバンプ(4) を接合する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/321 , H01L 21/60 311

FI (2)：

H01L 21/92 F , H01L 21/92 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (16)

電子部品のフリツプチツプ接続構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-237323 Applicant：京セラ株式会社
特開昭63-187638
特開平4-022144

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