3-5族化合物半導体及び発光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995218861
Publication number (International publication number)：1997064419
Application date： Aug. 28, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】輝度や発光効率の高い3-5族化合物半導体及びこれを用いた可視又は紫外領域の発光素子を提供する。【解決手段】発光層5をこれよりもバンドギャップの大きな2つの層4と6とで挟み,さらにこの外側から一般式Inx Gay Alz N(但し,x+y+z=1,0≦x≦1,0≦y≦1,0.0001≦z≦0.10)で表される3-5族化合物半導体のn型の層3とP型の層7とで挟んだ積層構造の半導体素子である。これを基板1上にバッファー層2を介して積層して発光素子を構成する。

Claim (excerpt)：

p型の層及びn型の層を有し、発光層が両層の間に配置され、発光層の両側に発光層よりも大きなバンドギャップを有する2つの層が接してなる積層構造を含む発光素子用3-5族化合物半導体において、該p型の層が、一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0.0001≦z≦0.10)で表される3-5族化合物半導体であり、かつp型ドーパントがドープされてなることを特徴とする発光素子用3-5族化合物半導体。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 29/205

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01L 29/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-310533 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-079046 Applicant：日亜化学工業株式会社
3-5族化合物半導体及び発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-218861 Applicant：住友化学工業株式会社

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