発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 三上敬史 , 石坂泰紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008066293
Publication number (International publication number)：2009224136
Application date： Mar. 14, 2008
Publication date： Oct. 01, 2009
Summary：

【課題】ドナー・アクセプター対発光による面発光を直流駆動によって十分に得ることができるとともに、発光輝度が低下しにくい発光素子を提供すること。【解決手段】発光素子31は、一対の電極2,6と、電極2,6間に配置された、ドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層4と、電極2と発光層4との間に配置された、p型半導体酸化物層3と、を備え、p型半導体酸化物層3は、O-Cu-Oのダンベル構造を有する化合物を一種以上含んでなる酸化物層、又は、MOx(ただし、MはNi、Ga、Moのうちの一種類の金属を示し、xは金属原子と酸素原子との個数比を示す。)で表される化合物を一種以上含んでなる酸化物層を有することを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

一対の電極間と、前記電極間に配置された、ドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層と、前記電極の一方と前記発光層との間に配置された、p型半導体酸化物層と、を備え、前記p型半導体酸化物層は、O-Cu-Oのダンベル構造を有する化合物を一種以上含んでなる酸化物層、又は、MOx(ただし、MはGa、Ni、Moのうちの一種類の金属を示し、xは金属原子と酸素原子との個数比を示す。)で表される化合物を一種以上含んでなる酸化物層を有する、発光素子。

IPC (2)：

H05B 33/14 , H01L 51/50

FI (2)：

H05B33/14 Z , H05B33/22 C

F-Term (12)：

3K107AA06 , 3K107AA07 , 3K107BB02 , 3K107CC02 , 3K107CC04 , 3K107CC21 , 3K107CC42 , 3K107CC45 , 3K107DD55 , 3K107DD73 , 3K107DD84 , 3K107DD85

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

発光素子及び発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-061869 Applicant：キヤノン株式会社

Cited by examiner (8)

エレクトロルミネッセンス素子およびこれを用いた表示装置、露光装置、照明装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-313120 Applicant：松下電器産業株式会社, 国立大学法人九州大学
透明酸化物p-n接合ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-054382 Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道
分散型電界発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-204925 Applicant：MT映像ディスプレイ株式会社

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