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J-GLOBAL ID：200903048661629299

III族窒化物半導体発光素子

Inventor：
宇田川 隆

About 宇田川 隆

, 
三木 久幸

About 三木 久幸


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999227075
Publication number (International publication number)：2001053338
Application date： Aug. 11, 1999
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：
【要約】【課題】III族窒化物半導体からなる発光層を含むpn接合型ヘテロ接合構造の発光部を具備したIII族窒化物半導体発光素子にあって、形成するのが煩雑なp形III族窒化物半導体層に代替して、簡便に形成できる低抵抗のp形導電層をp形障壁層として、pn接合型ヘテロ接合構造の発光部を構成する。【解決手段】p形伝導を呈する導電性酸化物材料からなるp形障壁層を利用してpn接合型ヘテロ構造の発光部を構成する。p形の透明酸化物材料から構成されるp形障壁層は、p形障壁層及びp形ウィンドウ層として兼用できるので、高輝度のIII族窒化物半導体発光素子が提供できる。
Claim (excerpt)：
発光部として、n形のIII族窒化物半導体からなる障壁層と、インジウム含有III族窒化物半導体からなる発光層と、酸化物からなるp形層とを含むことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
IPC (3)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/32
FI (3)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/32
F-Term (43)：
5F041AA42 ,  5F041CA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F045AA04 ,  5F045AA18 ,  5F045AA19 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB40 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AC19 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA51 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045DA62 ,  5F045DA63 ,  5F045DA64 ,  5F073CA07 ,  5F073EA05 ,  5F073EA24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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