高剛性低熱膨張セラミックス及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田幸彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000353848
Publication number (International publication number)：2002160972
Application date： Nov. 21, 2000
Publication date： Jun. 04, 2002
Summary：

【要約】【課題】 20±5°Cのときの熱膨張係数が小さく-1〜1ppm/Kの範囲内にあり、かつヤング率が140GPa以上と高い高剛性低熱膨張セラミックス及びその製造方法を提供する。【解決手段】 20±5°Cのときの熱膨張係数が-8〜0ppm/Kで、一般式Li2O・Al2O3・nSiO2(ただしn=2〜8)で表されるリチウムアルミノシリケート及びSiCを含有し、かつ20±5°Cのときの熱膨張係数が-1〜1ppm/Kで、ヤング率が140GPa以上である高剛性低熱膨張セラミックス並びに20±5°Cのときの熱膨張係数が-8〜0ppm/Kで、一般式Li2O・Al2O3・nSiO2(ただしn=2〜8)で表されるリチウムアルミノシリケート粉末及びSiC粉末を混合、成形した後、1270〜1530°Cの温度で焼成することを特徴とする20±5°Cのときの熱膨張係数が-1〜1ppm/Kで、ヤング率が140GPa以上の高剛性低熱膨張セラミックスの製造方法。

Claim (excerpt)：

20±5°Cのときの熱膨張係数が-8〜0ppm/Kで、一般式Li2O・Al2O3・nSiO2(ただしn=2〜8)で表されるリチウムアルミノシリケート及びSiCを含有し、かつ20±5°Cのときの熱膨張係数が-1〜1ppm/Kで、ヤング率が140GPa以上である高剛性低熱膨張セラミックス。

IPC (3)：

C04B 35/565 , C04B 35/19 , H01L 21/68

FI (3)：

H01L 21/68 N , C04B 35/56 101 C , C04B 35/18 A

F-Term (20)：

4G001BA01 , 4G001BA03 , 4G001BA04 , 4G001BA22 , 4G001BB01 , 4G001BB03 , 4G001BB04 , 4G001BB22 , 4G001BC23 , 4G001BC57 , 4G001BD05 , 4G001BD16 , 4G001BD38 , 4G030AA02 , 4G030AA36 , 4G030AA37 , 4G030AA47 , 5F031CA02 , 5F031HA02 , 5F031MA27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

低熱膨張セラミックスおよびその製造方法、並びに半導体製造用部品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-234635 Applicant：京セラ株式会社
特開平3-290352
特開昭57-205373

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