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J-GLOBAL ID：200903022645344587

InGaN単結晶およびその製造方法

Inventor： 平松 和政 ,  川口 靖利 ,  清水 誠也
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996030618
Publication number (International publication number)：1997227297
Application date： Feb. 19, 1996
Publication date： Sep. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高品質な結晶構造を有し、かつ、厚いInGaN単結晶とその製造方法を提供すること。【解決手段】 サファイア基板1上に、AlNを成膜しバッファ層2とした上に、InGaN単結晶3を成長させることによって、良好な結晶性であり、かつ、厚みが0.5μmを超えるInGaN単結晶が得られる。AlNの成膜法、および、InGaNの結晶成長法は、共にMOVPEとすることが好ましい。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上に成膜されたAlNをバッファ層とし該バッファ層上に結晶成長され、0.5μmを超える厚みを有するものであることを特徴とするInGaN単結晶。

IPC (3)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  H01L 33/00

FI (3)：

C30B 29/38 D ,  C30B 25/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038157   Applicant：株式会社東芝
• 青色発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-238553   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 3-5族化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-180170   Applicant：住友化学工業株式会社