3-5族化合物半導体の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995180170
Publication number (International publication number)：1997036426
Application date： Jul. 17, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】発光素子の輝度、発光効率を高めることが可能な3-5族化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】一般式Inx Gay Alz N(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体の積層構造を含み、該積層構造の中にp型の層を少なくとも1層含む3-5族化合物半導体を、3族有機金属化合物と分子中にNを有する化合物とを原料とし、有機金属気相成長法により反応管内で成長させて3-5族化合物半導体を製造する方法において、p型の層を成長する工程の前に、p型ドーパント原料を供給し3族原料は供給しない工程を有することを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。

Claim (excerpt)：

一般式Inx Gay Alz N(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体の積層構造を含み、該積層構造の中にp型の層を少なくとも1層含む3-5族化合物半導体を、3族有機金属化合物と分子中にNを有する化合物とを原料とし、有機金属気相成長法により反応管内で成長させて3-5族化合物半導体を製造する方法において、p型の層を成長する工程の前に、p型ドーパント原料を供給し3族原料は供給しない工程を有することを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。

IPC (5)：

H01L 33/00 , C30B 25/14 , C30B 29/40 502 , H01L 21/205 , H01S 3/18

FI (5)：

H01L 33/00 C , C30B 25/14 , C30B 29/40 502 B , H01L 21/205 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-043581 Applicant：株式会社東芝
特開平3-062584
半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-270647 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (6)

化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-043581 Applicant：株式会社東芝
特開平3-062584
半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-270647 Applicant：株式会社東芝

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