炭化けい素半導体基板の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：篠部正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998160338
Publication number (International publication number)：2000001398
Application date： Jun. 09, 1998
Publication date： Jan. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】炭化けい素基板の製造方法において、エピタキシャル成長条件を吟味し、キャリア移動度等の素子特性を向上させる。【解決手段】エピタキシャル成長時に、体積比で0.2〜0.6%の塩酸ガスを加え、1450〜1550°Cで、エピタキシャル層を成長する。

Claim (excerpt)：

炭化けい素基板上に炭化けい素エピタキシャル層を成長させる炭化けい素半導体基板の製造方法において、塩化水素ガスを添加した雰囲気中でエピタキシャル層を成長することを特徴とする炭化けい素半導体基板の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 , C30B 25/02 , H01L 21/205

FI (3)：

C30B 29/36 A , C30B 25/02 , H01L 21/205

F-Term (24)：

4G051BB02 , 4G051BB12 , 4G051BC03 , 4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BE08 , 4G077DB04 , 4G077DB07 , 4G077EA06 , 4G077EC10 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA12 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC13 , 5F045AD18 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045DA67 , 5F045EE12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

SiC結晶成長方法およびSiC半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-210321 Applicant：富士電機株式会社
特公昭49-037040
特開平2-157196