DLC保護膜と該保護膜を用いた有機EL素子及びそれらの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998301845
Publication number (International publication number)：2000133440
Application date： Oct. 23, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】十分な膜の密着性と緻密性を併せ持ち、かつ膜厚の薄い保護膜が形成された有機EL素子及びその製造方法の提供。【解決手段】ガラス基板(図1の1)上に陽極(図1の2)と有機EL層(図1の3)と陰極(図1の4)とがこの順に積層され、これらを覆うようにガラス基板上にDLC保護膜(図1の5)が形成されている有機EL素子であって、DLC保護膜が、アモルファスシリコンからなる下地膜(図2の6)と少なくとも2層以上のDLCとを積層した構造をなし、その積層のうち、ガラス基板に形成した下地膜に密着する第1のカーボン保護膜(図2の7)が内部応力が小さくなるような水素分圧略20%の条件下でCVD法又はスパッタ法によって成膜され、その上に積層される第2のカーボン保護膜(図2の8)が密度が大きくなるような水素を実質的に含まない条件下でCVD法又はスパッタ法によって成膜されている。

Claim (excerpt)：

基板上に、下地膜と少なくとも2層以上のDLC(ダイヤモンド・ライク・カーボン)とを積層してなる保護膜であって、前記基板に形成した前記下地膜に密着するDLC層が、内部応力が小さくなるような所定の水素分圧下で成膜され、前記保護膜のうち、前記下地膜に密着する前記DLC層以外の少なくとも一層が、密度が大きくなるような水素を実質的に含まない条件下で成膜されている、ことを特徴とする保護膜。

IPC (5)：

H05B 33/04 , H01L 21/205 , H01L 21/314 , H05B 33/10 , H05B 33/14

FI (5)：

H05B 33/04 , H01L 21/205 , H01L 21/314 A , H05B 33/10 , H05B 33/14 A

F-Term (28)：

3K007AB11 , 3K007AB15 , 3K007AB18 , 3K007BB01 , 3K007CA01 , 3K007CB01 , 3K007DA01 , 3K007DB03 , 3K007EB00 , 3K007FA01 , 3K007FA02 , 5F045AB04 , 5F045AB07 , 5F045AF07 , 5F045BB17 , 5F045CA09 , 5F045CB04 , 5F045DA52 , 5F045DA68 , 5F045DA69 , 5F058BA09 , 5F058BA10 , 5F058BB07 , 5F058BD01 , 5F058BD18 , 5F058BF02 , 5F058BF12 , 5F058BJ03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

炭素または炭素を主成分とする被膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-197516 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-064429 Applicant：三洋電機株式会社
特開昭10-261487

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