異物種を含有するドナーウエハを転写することによる基板の製造方法および関連するドナーウエハ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (5)：吉武賢次 , 中村行孝 , 紺野昭男 , 横田修孝 , 高村雅晴
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003348741
Publication number (International publication number)：2004179630
Application date： Oct. 07, 2003
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【課題】スマートカット技術を用いて、Feで補償された半絶縁性InP層を作製する。【解決手段】InPからなるドナーウェハ20の表面にプラズマ蒸着を行って酸化物などからなる結合層21を形成した後、原子種注入を行って脆化ゾーン22を形成し、表面に熱酸化結合層11を備えたシリコン支持体10と、結合層21,11を介して結合し、次いで、アニール処理を施して脆化面に沿ってInP膜を破断させて除去し、残存した脆化層22をエッチングまたは研磨で薄層化し、最後に、FeおよびPからなる混合ガス中、900°Cで熱処理してFeを拡散させて、半絶縁性InP薄膜を形成する。【選択図】図1A

Claim (excerpt)：

ドナーウエハから転写された薄結晶層を支持体上に含んでなり、該薄層がその性質を変えるための1以上の異物種を含有している、基板の生産方法であって、異物種(24)を実質的に含まないドナーウエハ(20)のゾーン中へ原子種を注入して、結合面の下に脆化ゾーン(22)を形成させ、ここで、脆化ゾーンおよび結合面が、転写される薄層(23)の境界を定めており、ドナーウエハ(20)をその結合面のレベルで支持体(10)へ結合させ、そして脆化ゾーン(22)の領域で開裂を生じさせて、支持体(10)および薄層(23)を含んでなる基板を得るために、応力を加えるステップを順次行うことからなり、注入前または破断後に、薄層(23)の厚さ中へ、薄層の性質、特にその電気的または光学的性質を変えるために適した異物種(24)を拡散させるステップを更に含んでなることで特徴付けられる方法。

IPC (4)：

H01L27/12 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/22

FI (4)：

H01L27/12 B , H01L21/02 B , H01L21/20 , H01L21/22 C

F-Term (4)：

5F052DA04 , 5F052GC03 , 5F052JA10 , 5F052KA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-337670 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
SOI基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-236596 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体材料薄膜の製造のための改良型スマート・カット・プロセス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-237751 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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Cited by examiner (4)

半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-337670 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
SOI基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-236596 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体材料薄膜の製造のための改良型スマート・カット・プロセス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-237751 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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