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J-GLOBAL ID：200903023106692268

へテロ接合トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
アダム ウィリアム サックスラー

About アダム ウィリアム サックスラー


Applicant, Patent owner：
クリー インコーポレイテッド

About クリー インコーポレイテッド


Agent (2)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003550289
Publication number (International publication number)：2005512327
Application date： Nov. 20, 2002
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：
窒化物をベースにしたヘテロ接合トランジスタは、基板及び基板上のAlGaN層のような第1のIII族窒化物を備えている。第1のIII族窒化物層は、関連した第1の歪みを有する。GaN層のような第2のIII族窒化物層が、第1のIII族窒化物層上に設けられている。第2のIII族窒化物層は、第1のIII族窒化物層のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有し、かつ関連した第2の歪みを有する。第2の歪みは、第1の歪みの大きさよりも大きな大きさを有する。AlGaN層又はAlN層のような第3のIII族窒化物層がGaN層上に設けられている。第3のIII族窒化物層は、第2のIII族窒化物層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有し、かつ関連した第3の歪みを有する。第3の歪みは第2の歪みと逆の歪みの型である。ソースコンタクトとドレインコンタクトとゲートコンタクトを第3のIII族窒化物層上に設けることができる。AlGaN下部閉込め層と下部閉込め層上のGaNチャネル層とチャネル層上のAlGaN障壁層とを有し、障壁層が下部閉込め層よりも高いアルミニウム濃度を有する窒化物をベースにしたヘテロ接合トランジスタが提供される。またヘテロ接合トランジスタの製造方法も提供される。
Claim (excerpt)：
窒化物をベースにしたヘテロ接合トランジスタであって、 基板と、 該基板上に設けられ、第1の歪みを有する第1のAlGaN層と、 該第1のAlGaN層上に設けられ、該第1のAlGaN層のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有し、かつ前記第1の歪みの大きさよりも大きい大きさの第2の歪みを有するGaN層と、 前記第1のAlGaN層の反対側で、前記GaN層上に設けられ、該GaN層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有し、かつ前記第2の歪みと逆の歪みの型である第3の歪みを有する第2のAlGaN層と を備えたことを特徴とするヘテロ接合トランジスタ。
IPC (3)：
H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (1)：
H01L29/80 H
F-Term (23)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GL08 ,  5F102GL09 ,  5F102GL16 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR06 ,  5F102HC01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (14)
  • 米国特許第5,192,987号明細書
  • 米国特許第5,523,589号明細書
  • 米国特許第5,292,501号明細書
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Cited by examiner (7)
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