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J-GLOBAL ID:200903023142006621
透明導電性膜およびその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999320431
Publication number (International publication number):2001143534
Application date: Nov. 11, 1999
Publication date: May. 25, 2001
Summary:
【要約】【課題】公知の透明導電性膜に比して、より低い抵抗率を示す透明導電性膜を提供することを主な目的とする。【解決手段】基体上に形成され、窒素を含有するインジウムスズ酸化物からなる膜厚5nm〜100μmの透明導電性膜;および真空中で励起状態とされている基体表面に気化したインジウムスズ酸化物を蒸着させることを特徴とする透明導電性膜の製造方法。
Claim (excerpt):
基体上に形成され、窒素を含有するインジウムスズ酸化物からなる膜厚5nm〜100μmの透明導電性膜。
IPC (6):
H01B 5/14
, C23C 14/08
, C23C 16/40
, G02B 1/10
, H01B 13/00 503
, H01L 21/285 301
FI (6):
H01B 5/14 A
, C23C 14/08 D
, C23C 16/40
, H01B 13/00 503 B
, H01L 21/285 301 Z
, G02B 1/10 Z
F-Term (44):
2K009BB01
, 2K009BB02
, 2K009BB11
, 2K009CC03
, 2K009DD03
, 2K009EE03
, 4K029AA04
, 4K029AA06
, 4K029AA09
, 4K029AA11
, 4K029BA45
, 4K029BA47
, 4K029CA01
, 4K029CA03
, 4K029CA07
, 4K029CA10
, 4K030AA18
, 4K030BA42
, 4K030BA45
, 4K030CA04
, 4K030CA05
, 4K030CA06
, 4K030CA07
, 4K030FA07
, 4K030FA10
, 4K030JA01
, 4K030LA04
, 4M104BB36
, 4M104BB39
, 4M104DD34
, 4M104DD35
, 4M104DD36
, 4M104DD43
, 4M104DD48
, 4M104HH20
, 5G307FA01
, 5G307FA02
, 5G307FB01
, 5G307FC10
, 5G323BA01
, 5G323BA02
, 5G323BB03
, 5G323BB04
, 5G323BB06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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透明導電膜
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-218685
Applicant:東燃株式会社
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特開平3-110716
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