炭化珪素半導体装置及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊藤洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999267533
Publication number (International publication number)：2001094098
Application date： Sep. 21, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】アバランシェブレークダウン位置を正確に形成できるように、ベース領域の濃度プロファイルの制御が行えるようにする。【解決手段】 n- 型エピ層2の表層部に、不活性なイオン種としてC(炭素)をイオン注入すると共に、このCを注入する領域にCに対して所定の濃度比でBをイオン注入し、その後、熱処理によってBの拡散を抑制しつつ活性化して、高濃度のディープベース層30を形成する。このように、Cを注入することにより、炭素サイトの空孔に不活性なイオン種が入り込み、空孔を無くすことができるため、Bの拡散が抑制され、ディープベース層30とn- 型エピ層2との接合部が階段型接合となる。このため、この接合部において耐圧を低下させ、この部分でアバランシェブレークダウンさせることができる。

Claim (excerpt)：

主表面及び該主表面の反対面である裏面を有し、単結晶炭化珪素よりなる第1導電型の半導体基板(1)と、前記半導体基板の主表面上に形成され、前記半導体基板よりも低い不純物濃度を有する第1導電型の半導体層(2)と、前記半導体層の表層部の所定領域に少なくとも1つ以上形成される第2導電型の第1のベース領域(3)と、前記半導体層の表面部の所定領域に少なくとも1つ以上形成され、前記第1のベース領域よりも不純物濃度が高くされた第2導電型の第2のベース領域(30)とを有する炭化珪素半導体装置であって、前記第1のベース領域は第2導電型不純物の熱拡散により形成され、前記第1のベース領域と前記半導体層との接合部は、第2導電型不純物の濃度分布が緩やかに変化する傾斜型接合を成し、前記第2のベース領域には不活性なイオン種が注入されており、該第2のベース領域と前記半導体層との接合部は、第2導電型不純物の濃度分布が急峻に変化する階段型接合を成していることを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/22

FI (3)：

H01L 21/22 E , H01L 29/78 652 D , H01L 29/78 652 T

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

炭化けい素半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-221244 Applicant：富士電機株式会社
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-259076 Applicant：株式会社デンソー
炭化珪素半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-040550 Applicant：株式会社デンソー

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