剥離方法および半導体装置の作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002242332
Publication number (International publication number)：2003163338
Application date： Aug. 22, 2002
Publication date： Jun. 06, 2003
Summary：

【要約】【課題】本発明は、被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とする剥離方法および製造装置を提供することを目的としている。【解決手段】剥離前に第1の材料層11と第2の材料層12との密着性を部分的に低下させる処理(レーザー光、加圧など)を行った後、物理的手段で剥離を行うことによって容易に第2の材料層12の層内または界面において、きれいに分離することができる。

Claim (excerpt)：

被剥離層を基板から剥離する剥離方法であって、前記基板上に第1の材料層が設けられており、前記第1の材料層が設けられた基板上に少なくとも前記第1の材料層と接する第2の材料層を含む積層からなる被剥離層を形成し、前記第2の材料層と前記第1の材料層との密着性を部分的に低下させる処理を行った後、前記被剥離層を前記第1の材料層が設けられた基板から物理的手段により前記第2の材料層の層内または界面において剥離することを特徴とする剥離方法。

IPC (6)：

H01L 27/12 , G02F 1/1333 500 , H01L 21/02 , H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (7)：

H01L 27/12 B , G02F 1/1333 500 , H01L 21/02 C , H01L 21/20 , H01L 29/78 627 Z , H01L 29/78 627 D , H01L 29/78 626 C

F-Term (111)：

2H090HA04 , 2H090HB03X , 2H090HB06X , 2H090HC14 , 2H090HC19 , 2H090HD01 , 2H090JA16 , 2H090JB03 , 2H090JC11 , 2H090LA01 , 2H090LA04 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052AA17 , 5F052AA24 , 5F052BB02 , 5F052BB03 , 5F052BB04 , 5F052BB07 , 5F052CA08 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052EA12 , 5F052EA13 , 5F052EA15 , 5F052EA16 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052HA01 , 5F052JA01 , 5F052JA04 , 5F052JA08 , 5F052JA09 , 5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD30 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110FF04 , 5F110FF12 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG51 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5F110QQ23 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

薄膜デバイスの転写・製造方法
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化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子
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