Pat
J-GLOBAL ID：200903023372698999

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
岡田 喜久雄

About 岡田 喜久雄

, 
亀山 工次郎

About 亀山 工次郎


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社

, 
三洋半導体株式会社

About 三洋半導体株式会社


Agent (1)： ▲角▼谷 浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006298524
Publication number (International publication number)：2008117881
Application date： Nov. 02, 2006
Publication date： May. 22, 2008
Summary：
【課題】 一般に、パンチスルー型のIGBTでは、p++型のコレクタ層の膜厚が厚い。このため、モータ負荷を駆動するインバータ回路において、スイッチ素子にIGBTを用いるときには、FWDを外付けする必要があり、工数、部品点数が増加していた。【解決手段】 本発明では、コレクタ層1を貫き、且つ、バッファ層2に到達するようにトレンチ9が形成される。そして、コレクタ電極10は、トレンチ9の内部にも形成される。かかる構造の場合、エミッタ電極9とコレクタ電極10との間にコレクタ層1を介さない電流経路が形成され、かかる経路がFWDとして機能する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1導電型のコレクタ層と、 前記コレクタ層上に形成された第2導電型のドリフト層と、 前記ドリフト層の主表面に選択的に形成された第1導電型のベース領域と、 前記ベース領域の主表面に選択的に形成された第2導電型のエミッタ領域と、 前記ベース領域上であって前記ドリフト領域と前記エミッタ領域とに挟まれる領域が覆われるように形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、 前記エミッタ領域と接続されるように形成されたエミッタ電極と、を備え、 前記コレクタ層の裏面側から前記コレクタ層を貫くように開口部が形成され、 前記コレクタ層及び前記開口部を覆うようにコレクタ電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/739 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (5)：
H01L29/78 655C ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658E
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-342382   Applicant：富士電機株式会社
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM