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J-GLOBAL ID：200903023384123851

多層膜の形成方法及びデバイスの製造方法

Inventor：
青木 敬

About 青木 敬


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (3)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004040238
Publication number (International publication number)：2005235852
Application date： Feb. 17, 2004
Publication date： Sep. 02, 2005
Summary：
【課題】 膜相互の密着性及び界面特性が良好な多層膜の成膜方法及び当該成膜方法を使用したデバイスの製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 第1膜と該第1膜上に形成された第2膜とを少なくとも含む多層膜の形成方法であって、溶媒を含む第1液体材料を基板上方に塗布することにより第1塗布膜を形成する工程と、前記第1塗布膜に存在している前記溶媒の少なくとも一部を除去することにより第1溶媒除去膜を形成する工程と、前記第1溶媒除去膜上に第2液体材料を塗布する工程と、少なくとも、前記第1溶媒除去膜及び前記第2液体材料に対して加熱及び/又は光処理を行なうことにより前記第1溶媒除去膜から前記第1膜及び前記第2液体材料から前記第2膜を形成する多層膜の形成方法により解決する。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
第1膜と該第1膜上に形成された第2膜とを少なくとも含む多層膜の形成方法であって、 溶媒を含む第1液体材料を基板上方に塗布することにより第1塗布膜を形成する工程と、 前記第1塗布膜に存在している前記溶媒の少なくとも一部を除去することにより第1溶媒除去膜を形成する工程と、 前記第1溶媒除去膜上に第2液体材料を塗布する工程と、 少なくとも、前記第1溶媒除去膜及び前記第2液体材料に対して加熱及び/又は光処理を行なうことにより前記第1溶媒除去膜から前記第1膜及び前記第2液体材料から前記第2膜を形成する、多層膜の形成方法。
IPC (4)：
H01L21/208 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04
FI (3)：
H01L21/208 Z ,  H01L31/04 B ,  H01L29/78 618A
F-Term (32)：
5F051AA05 ,  5F051CA20 ,  5F051CA32 ,  5F051CA40 ,  5F051DA04 ,  5F051FA04 ,  5F053AA50 ,  5F053BB60 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG03 ,  5F053HH01 ,  5F053PP03 ,  5F053RR04 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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