半導体デバイスのレーザー処理方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995332572
Publication number (International publication number)：1996227855
Application date： Nov. 28, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】液晶ディスプレイ装置となるべき半導体のアニールの際に、周辺回路領域と画素領域とに配置される薄膜トランジスタを必要な特性に応じて作り分ける技術を提供する。【構成】半導体薄膜に対するレーザー光の照射によるアニール工程において、部分的にマスクを用いてレーザー光を選択的に照射する。例えば、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の作製において、周辺回路領と画素領域とに対して、それぞれ異なる条件でレーザー光を照射するために、マスクを用いて、必要とする照射エネルギー密度でレーザー光を照射する。こうして、必要とする結晶性を選択的に有する結晶性珪素膜を得ることができる。

Claim (excerpt)：

同一基板上に集積化された半導体デバイスの作製工程において、必要とする半導体特性に合わせて、異なる照射エネルギーで、レーザー光を前記基板に選択的に照射する処理を行うことを特徴とする半導体デバイスのレーザー処理方法。

IPC (9)：

H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01S 3/00 , H01S 3/081 , H01S 3/104

FI (9)：

H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 21/268 Z , H01L 27/12 R , H01S 3/00 B , H01S 3/081 , H01S 3/104 , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

液晶表示装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-211248 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-370925
薄膜状半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-275412 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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