TFTアレイの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：朝日奈宗太 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000241264
Publication number (International publication number)：2002057338
Application date： Aug. 09, 2000
Publication date： Feb. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】ホトマスクのハーフトーン部において、ホトレジストの膜厚の均一性を向上させる。【解決手段】ホトマスクのハーフトーン部を透過部と遮光部とを交互に設けた透過/遮断パターンとして構成し、両端部に位置する透過部の面積を、その他の透過部の面積よりも大きくした。

Claim (excerpt)：

被エッチング膜上にホトレジストを塗布する工程と、該ホトレジストをホトマスクを用いて露光、現像することにより所定のパターンを有するホトレジストパターンを形成する工程と、該ホトレジストパターンを用いて被エッチング膜のエッチングを行う工程と、該ホトレジストパターンの一部を除去する工程と、該一部を除去したホトレジストパターンを用いて被エッチング膜のエッチングを行なう工程とを有するTFTアレイの製造方法であって、前記ホトマスクが、前記露光時の露光機の照射光を、前記ホトレジストパターンの一部を除去する工程でレジストパターンが残存する照射光光量まで遮断する領域A*と、前記露光時の露光機の照射光を、前記現像時にホトレジストが除去できる照射光光量まで透過させる領域C*と、露光機の解像能力以下の寸法である透過/遮断パターンを有することにより、前記露光時の照射光光量が前記領域A*と前記領域C*の中間となる領域B*と、を備え、前記透過/遮断パターンが、所定の長さおよび幅を有する矩形の透過部を、長さ方向に少なくとも3つ以上配置したはしご形状であり、前記透過パターンの寸法精度が±0.1μm以下であることを特徴とするTFTアレイの製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1368 , G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (8)：

G03F 1/08 A , H01L 29/78 627 C , G02F 1/136 500 , H01L 21/30 502 P , H01L 29/78 612 D , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 616 U , H01L 29/78 617 L

F-Term (68)：

2H092HA04 , 2H092HA06 , 2H092JA24 , 2H092JA28 , 2H092JA31 , 2H092JB64 , 2H092JB68 , 2H092KA05 , 2H092KA18 , 2H092KB04 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA15 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA27 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 2H092PA09 , 2H095BA05 , 2H095BA12 , 2H095BB02 , 2H095BC04 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE41 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF03 , 5F110FF21 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK15 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK26 , 5F110HK27 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ02 , 5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

液晶表示装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-283194 Applicant：田中栄
光近接効果補正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-339636 Applicant：株式会社東芝
フォトマスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-226382 Applicant：シャープ株式会社

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