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J-GLOBAL ID：200903023937224961

熱電半導体の塑性加工方法

Inventor： 田内 比登志 ,  堀 智 ,  杉浦 裕胤 ,  小島 宏康
Applicant, Patent owner： アイシン精機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999335567
Publication number (International publication number)：2001156346
Application date： Nov. 26, 1999
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】 熱電半導体の塑性加工方法において、酸化を抑制し、酸化による熱電半導体材料組成の変化に起因した性能劣化を防止すること。【解決手段】 酸素濃度が10000ppm以下の雰囲気酸素濃度環境下で熱電半導体を塑性加工する。酸素濃度が10000ppm以下であると、熱電半導体の酸化による性能劣化を顕著に抑制することができる。

Claim (excerpt)：

酸素濃度が10000ppm以下の雰囲気酸素濃度環境下で熱電半導体を塑性加工することを特徴とする、熱電半導体の塑性加工方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 熱電材料及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-146944   Applicant：ヤマハ株式会社
• 熱電半導体材料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-063724   Applicant：株式会社小松製作所, 小松エレクトロニクス株式会社
• 熱電材料の製造方法及び熱電モジュールの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-340849   Applicant：ヤマハ株式会社
• 熱電素子チップ作製用形材の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-132427   Applicant：松下電工株式会社
• 熱電半導体材料、その製造方法およびこれを用いた熱電モジュールおよび熱間鍛造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-250624   Applicant：株式会社小松製作所, 小松エレクトロニクス株式会社