Pat
J-GLOBAL ID：200903023952517096
チタン酸化物系誘電体薄膜用CVD原料、タンタル酸化物系誘電体薄膜用CVD原料およびメモリー用キャパシタ
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
朝日奈 宗太 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998122469
Publication number (International publication number)：1998298761
Application date： Jul. 27, 1993
Publication date： Nov. 10, 1998
Summary：
【要約】【目的】 多元のものを一液状にして同時に気化させ、かつ安定に反応部へ輸送することができ、これに伴って良好な性能を有するキャパシタのチタン酸化物系またはタンタル酸化物系誘電体薄膜を再現性良く合成することを可能とする。【構成】 Tiの有機金属化合物とBaもしくはSrを含む有機金属化合物とを、またはTaの有機金属化合物とBi、Sr、Ba、Ti、La、PbもしくはZrの少なくとも1つを含む有機金属化合物とをテトラヒドロフラン中に溶解させることにより、従来よりも30〜100°C低い温度の加熱で、分解することなく原料を安定に気化し、輸送することができる。その結果、CVD法により安定したチタン酸化物系またはタンタル酸化物系誘電体薄膜が形成され、この誘電体薄膜をメモリー用キャパシタに用いる。
Claim (excerpt)：
Baを含む有機金属化合物またはSrを含む有機金属化合物とTiを含む有機金属化合物とをテトラヒドロフランを含む溶媒中に溶解してなるチタン酸化物系誘電体薄膜用CVD原料。
IPC (6)：
C23C 16/40
, C01G 23/00
, C01G 25/00
, C30B 29/32
, H01L 27/04
, H01L 21/822
C23C 16/40
, C01G 23/00 C
, C01G 25/00
, C30B 29/32 D
, H01L 27/04 C
