プラズマ化学蒸着装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：光石俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999149233
Publication number (International publication number)：2000058465
Application date： May. 28, 1999
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】従来と比べ良好な膜厚分布が得られることを課題とする。【解決手段】基板29を支持するヒータ内蔵アノード電極23と、このアノード電極23に対向して配設された複数個のカソード電極22a〜22hとを有し、各カソード電極22a〜22hに電力分配器60等を介して電力を供給するように構成して多点給電方式を実現し、周波数30MHz 乃至200MHz の高周波電力を高周波電源24から供給してこの電力によりグロー放電を発生し、前記基板29の表面上に非晶質薄膜、微結晶薄膜若しくは多結晶薄膜を形成するようにしたものである。

Claim (excerpt)：

反応容器と、この反応容器に反応ガスを導入する手段と、前記反応ガスを前記反応容器内から排出する手段と、前記反応容器内に配置され、被処理物を支持するヒータ内蔵アノード電極と、このアノード電極に対向して設置された複数個のカソード電極と、このカソード電極に周波数30MHzないし200MHzのグロー放電発生用電力を供給する電源とを有し、この電源から供給された電力によりグロー放電を発生し、前記被処理物表面上に非晶質薄膜あるいは微結晶薄膜あるいは多結晶薄膜を形成するプラズマ化学蒸着装置において、前記各カソード電極へ高周波電力を供給する複数の真空用給電線と、各真空用給電線を介して前記各カソード電極に接続され前記給電電力を均等に分配する電力分配器とを具備することを特徴とするプラズマ化学蒸着装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , H01L 31/04 , H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 B , H05H 1/46 M , H05H 1/46 R , H01L 31/04 V

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

特開昭64-067897
表面処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-156968 Applicant：アネルバ株式会社
超短波を用いたプラズマCVD法及び該プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-051776 Applicant：キヤノン株式会社

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Cited by examiner (6)

超短波を用いたプラズマCVD法及び該プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-051776 Applicant：キヤノン株式会社
表面処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-156968 Applicant：アネルバ株式会社
高周波プラズマ用インピーダンス整合装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-139505 Applicant：株式会社アドテック

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