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J-GLOBAL ID：200903024016532764

上に増加したルート形成領域を有するフィールドプレート抵抗

Inventor：
トーマス ジェー.クラットシック

About トーマス ジェー.クラットシック


Applicant, Patent owner：
アギア システムズ ガーディアン コーポレーション

About アギア システムズ ガーディアン コーポレーション


Agent (1)： 岡部 正夫 (外11名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001261004
Publication number (International publication number)：2002158290
Application date： Aug. 30, 2001
Publication date： May. 31, 2002
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 上に増加したルート形成領域を有するフィールドプレート抵抗を提供する。【解決手段】 抵抗への接触を形成する金属層と同じ層内に形成された金属導電体のルートを形成するための増加した領域を有するフィールドプレート抵抗50を抵抗体への接続と同じ金属層で金属導電体のルートを形成し、絶縁膜を介在させて、ポリシリコンフィールドプレート上に導電体90を形成した集積回路を一連のプロセス工程で形成する。
Claim (excerpt)：
基板中に形成され、第1及び第2の接触領域を有する抵抗;第1の接触領域までそれを貫く窓を有する抵抗上の絶縁性材料の第1の層;抵抗上にフィールドプレートを規定し、窓を満し、抵抗の第1の接触領域と接触を作り、フィールドプレートは抵抗基体上を第2の接触領域の近くまで延びる絶縁性材料の第1の層上のドープポリシリコンの層;一部がフィールドプレートを被覆し、フィールドプレートまでそれを貫く第1の窓及び第2の接触領域までそれを貫く第2の窓を有する抵抗上の絶縁性材料の第2の層;ポリシリコンフィールドプレート上に延び、抵抗の第1及び第2の接触領域への接触を形成する金属層と同じ層中に形成された金属導電体を含むフィールドプレートを含む集積回路。
IPC (5)：
H01L 21/822 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/732
FI (3)：
H01L 27/04 R ,  H01L 21/88 S ,  H01L 29/72 P
F-Term (29)：
5F003BA93 ,  5F003BB07 ,  5F003BC08 ,  5F003BE05 ,  5F003BE07 ,  5F003BE08 ,  5F003BE90 ,  5F003BH06 ,  5F003BH07 ,  5F003BH10 ,  5F003BH18 ,  5F003BJ20 ,  5F003BP21 ,  5F033HH04 ,  5F033JJ04 ,  5F033KK01 ,  5F033LL04 ,  5F033VV00 ,  5F033VV09 ,  5F038AR01 ,  5F038AR16 ,  5F038AR20 ,  5F038BH10 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
  • 特開平2-312273
  • 半導体集積回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-249531   Applicant：トヨタ自動車株式会社
  • 特開昭55-162255
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