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J-GLOBAL ID：200903024040858727

半導体リレー

Inventor：
仲矢 実

About 仲矢 実


Applicant, Patent owner：
横河電機株式会社

About 横河電機株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003295909
Publication number (International publication number)：2005065150
Application date： Aug. 20, 2003
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：
【課題】 従来の耐圧1500VDC級半導体リレーと比較し、高耐圧DMOSFET素子面積、電圧出力型フォトダイオードアレイのチップ面積を極力増加させることなしに、また、小型にパッケージされた3000VDC級の半導体リレーを提供する。【解決手段】 発光ダイオードとフォトダイオードアレイよりなるフォトカプラと、ソース同士が互いに接続されるとともに該接続点には前記フォトダイオードアレイのカソードが接続され、各ゲートには前記フォトダイオードアレイのアノードが接続された2個のFETと、前記発光ダイオードのアノード及びカソードにそれぞれ接続された第1,第2の外部端子を有する半導体リレーにおいて、前記FETよりも耐圧の低いFETを複数個直列に接続すると共に、該直列接続したFETの合計の耐圧・オン抵抗が前記2個のFETの耐圧・オン抵抗と同等以上になるように構成した。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
発光ダイオードとフォトダイオードアレイよりなるフォトカプラと、ソース同士が互いに接続されるとともに該接続点には前記フォトダイオードアレイのカソードが接続され、各ゲートには前記フォトダイオードアレイのアノードが接続された2個のFETと、前記発光ダイオードのアノード及びカソードにそれぞれ接続された第1,第2の外部端子を有する半導体リレーにおいて、前記FETよりも耐圧の低いFETを複数個直列に接続すると共に、該直列接続したFETの合計の耐圧・オン抵抗が前記2個のFETの耐圧・オン抵抗と同等以上になるように構成したことを特徴とする半導体リレー。
IPC (2)：
H03K17/78 ,  H01L31/12
FI (3)：
H03K17/78 J ,  H03K17/78 F ,  H01L31/12 A
F-Term (13)：
5F089AA10 ,  5F089AB03 ,  5F089AC02 ,  5F089AC07 ,  5F089FA10 ,  5J050AA01 ,  5J050AA49 ,  5J050BB21 ,  5J050CC00 ,  5J050DD08 ,  5J050EE02 ,  5J050FF04 ,  5J050FF10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 半導体リレー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-020913   Applicant：横河電機株式会社
  • 半導体リレー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-272049   Applicant：横河電機株式会社
  • 半導体リレー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-272048   Applicant：横河電機株式会社

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