半導体リレー

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺正康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996272049
Publication number (International publication number)：1998117011
Application date： Oct. 15, 1996
Publication date： May. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】オフセットのない半導体リレーを実現する。【解決手段】 LEDとフォトダイオードと一対の高耐圧DMOSFETからなり、前記一対の高耐圧DMOSFETのゲートとソースが夫々一つのワイヤーボンディングパッドで形成された半導体リレーにおいて、前記ゲートとソース間にシャント抵抗を設けた。

Claim (excerpt)：

LEDとフォトダイオードと一対の高耐圧DMOSFETからなり、前記一対の高耐圧DMOSFETのゲートとソースが夫々一つのワイヤーボンディングパッドで形成された半導体リレーにおいて、前記ゲートとソース間にシャント抵抗を設けたことを特徴とする半導体リレー。

IPC (5)：

H01L 31/10 , H01L 27/14 , H01L 27/15 , H01L 33/00 , H03K 17/78

FI (5)：

H01L 31/10 A , H01L 27/15 Z , H01L 33/00 M , H03K 17/78 J , H01L 27/14 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平2-100417
光ダイオードとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-305712 Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
スイッチ回路及びそれを用いた超音波診断装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-027609 Applicant：株式会社日立メディコ

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