Pat
J-GLOBAL ID：200903024090352514

パタ-ントランスファ組成物及びパタ-ントランスファ方法

Inventor：
中野 義彦

About 中野 義彦

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吉川 佐和子

About 吉川 佐和子

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早瀬 修二

About 早瀬 修二

, 
太田 英男

About 太田 英男


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998372465
Publication number (International publication number)：2000194128
Application date： Dec. 28, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 本発明の目的は塗布法により成膜でき、露光時に反射光を抑制することができ、レジストに対するエッチング選択比が大きく、しかも被加工膜の加工の際のドライエッチング耐性にも優れたパターントランスファ膜を形成できるパターントランスファ組成物を提供することにある。【解決手段】 本発明は、少なくとも特定構造のポリシラン、酸発生剤、有機溶媒を含有することを特徴とするパターントランスファ組成物である。
Claim (excerpt)：
少なくとも下記(イ)、(ロ)及び(ハ)成分を含有することを特徴とするパターントランスファ組成物。(イ)下記a)又はb)の少なくとも一方のポリシランa) 下記一般式(1)で表される繰り返し単位を含有する共重合体を含むポリシラン【化1】(但しRは炭素数6以下の置換又は無置換の脂肪族炭化水素基であり、R1、R2は炭素数20以下の置換又は無置換の炭化水素基である。また、aは0.1以上0.9以下であり、bは0以上0.7以下である。)b)下記一般式(2)で示される繰り返し単位と、一般式(3)で示される結合単位と、炭素-炭素の多重結合を分子中に2つ以上を含有する共重合体を含むポリシラン【化2】(但し、R3、R4、R5は同一であっても異なっていてもよく、水素原子、または炭素数20以下の置換または無置換の炭化水素基である。 a′は0.1以上0.8以下である。)【化3】(ロ)酸発生剤(ハ)有機溶媒
IPC (7)：
G03F 7/004 506 ,  C08K 5/42 ,  C08L 83/16 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027
FI (7)：
G03F 7/004 506 ,  C08K 5/42 ,  C08L 83/16 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 574
F-Term (29)：
2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025CC03 ,  2H025DA25 ,  2H025DA34 ,  2H025DA40 ,  2H025FA41 ,  2H096AA26 ,  2H096AA27 ,  2H096BA09 ,  2H096CA02 ,  2H096CA06 ,  2H096EA05 ,  4J002CP011 ,  4J002EB006 ,  4J002EV246 ,  4J002EV296 ,  4J002FD070 ,  4J002FD140 ,  4J002FD150 ,  4J002FD206 ,  4J002GQ05 ,  5F046PA07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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