パターン形成方法

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997242168
Publication number (International publication number)：1998209134
Application date： Aug. 22, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】寸法制御性よくパターンを形成することを可能とするパターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】被加工膜上に、シリコンとシリコンとの結合を主鎖に有する有機シリコン化合物を含有し、ガラス転移温度が0°C以上の有機シリコン膜を形成する工程と、前記有機シリコン膜上にレジストパターンを形成する工程と、塩素、臭素、および沃素からなる群から選ばれた原子の少なくとも1種を含むエッチングガスを用いて、前記有機シリコン膜をエッチングすることにより前記レジストパターンを前記有機シリコン膜に転写する工程とを具備することを特徴とする

Claim (excerpt)：

被加工膜上に、シリコンとシリコンとの結合を主鎖に有する有機シリコン化合物を含有し、ガラス転移温度が0°C以上の有機シリコン膜を形成する工程と、前記有機シリコン膜上にレジストパターンを形成する工程と、塩素、臭素、および沃素からなる群から選ばれた原子の少なくとも1種を含むエッチングガスを用いて、前記有機シリコン膜をエッチングすることにより前記レジストパターンを前記有機シリコン膜に転写する工程とを具備することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (8)：

H01L 21/3065 , B05D 3/02 , B05D 7/00 , B05D 7/24 302 , G03F 7/075 511 , G03F 7/26 511 , H01L 21/027 , H01L 21/3213

FI (9)：

H01L 21/302 J , B05D 3/02 E , B05D 7/00 H , B05D 7/24 302 Y , G03F 7/075 511 , G03F 7/26 511 , H01L 21/30 564 D , H01L 21/30 574 , H01L 21/88 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

エッチング中の線幅制御を含む集積回路の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-325583 Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
半導体集積回路製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-158907 Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
レジスト
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-083079 Applicant：株式会社東芝

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