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J-GLOBAL ID：200903024112432355

半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor：
米倉 和賢

About 米倉 和賢

, 
木村 肇

About 木村 肇

, 
寺谷 昭美

About 寺谷 昭美


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995255027
Publication number (International publication number)：1997097902
Application date： Oct. 02, 1995
Publication date： Apr. 08, 1997
Summary：
【要約】【課題】 従来のDRAM等の半導体装置の製造過程において、第二の配線形成後、基板とさらに上層の配線を接続するコンタクトを形成する際、写真製版の重ね合わせのずれにより、コンタクトホールの位置ずれが生じると、その後形成するコンタクトと第二の配線とがショートするという問題があった。【解決手段】 第二の配線を保護するエッチングストッパ膜を形成し、自己整合的にコンタクトを形成するため、第二の配線とコンタクトとがショートしない。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成した第一の配線、少なくとも上記第一の配線の上面及び側面を覆って形成した第一のエッチングストッパ膜、上記第一のエッチングストッパ膜上に層間絶縁膜を介して形成された第二の配線、少なくとも上記第二の配線上及び側面を覆って第二のエッチングストッパ膜を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (5)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (3)：
H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/10 681 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (21)
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