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J-GLOBAL ID:200903024171257206
加速度センサ及びその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996049367
Publication number (International publication number):1997243656
Application date: Mar. 06, 1996
Publication date: Sep. 19, 1997
Summary:
【要約】【課題】 対衝撃性に優れ、大きな加速度に対しても測定可能で、広い周波数領域にわたって高感度を有し、しかも感度等の特性のばらつきの極めて小さい小型の加速度センサを提供する。【解決手段】 シム(Si基板)30の両面に、直接接合によって圧電基板(LiNbO3 )2a、2bを形成する。圧電基板2aと圧電基板2bは、分極軸の向きが逆方向となるように接合する。この圧電素子の一端を、支持体(LiNbO3 )4a、4bに挟持させる。この場合、圧電基板2a、2bは、それぞれ支持体4a、4bに直接接合する。圧電基板2a、2bの外側面の支持体4a、4bに挟持されていない部分に、電極3a、3bをそれぞれ形成する。この圧電振動子1を、上面と一側面が開口したLiNbO3 からなる容器10dに収納する。支持体4a、4bを容器10dの内側壁に直接接合する。容器10dに、LiNbO3 からなる容器10dと同じ形状の容器10cを接合する。
Claim (excerpt):
シムに圧電体が直接接合されてなる圧電素子と、前記圧電素子の主面に形成された電極とからなる圧電振動子と、前記圧電振動子を支持する支持体とを備えた加速度センサ。
IPC (5):
G01P 15/09
, G01P 15/10
, H01L 29/84
, H01L 41/08
, H01L 41/22
FI (5):
G01P 15/09
, G01P 15/10
, H01L 29/84 Z
, H01L 41/08 Z
, H01L 41/22 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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加速度センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-204576
Applicant:株式会社村田製作所
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複合圧電デバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-152157
Applicant:松下電器産業株式会社
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半導体容量式加速度センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-316790
Applicant:株式会社日立製作所
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加速度センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-239280
Applicant:株式会社日立製作所
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圧電素子を用いた力・加速度・磁気のセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-207118
Applicant:岡田和廣
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