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J-GLOBAL ID：200903024183989458

低飽和磁化自由層を有するスピン転移磁気素子

Inventor： グエン、ポール ピー. ,  ホワイ、イーミン ,  ディアオ、ズータオ ,  アルバート、フランク
Applicant, Patent owner： グランディス インコーポレイテッド
Agent (2)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006554272
Publication number (International publication number)：2007525839
Application date： Feb. 18, 2005
Publication date： Sep. 06, 2007
Summary：

磁気メモリに用い得る磁気素子を提供するための方法及びシステムを提供する。磁気素子は、固定層と、非磁性スペーサ層と、自由層と、を含む。スペーサ層は、固定層と自由層との間に存在する。自由層は、書き込み電流が磁気素子を通過する時、スピン転移を用いて切換え得る。磁気素子は、更に、障壁層と、第2固定層とを含み得る。他の選択肢として、第2固定層と、第2スペーサ層と、自由層に静磁気的に結合された第2自由層とを含む。一つの態様において、自由層(1つ又は複数)は、非磁性材料(1つ又は複数)で希釈された強磁性材料(1つ又は複数)か、フェリ磁性的にドープされた強磁性材料(1つ又は複数)か、又は、非磁性材料(1つ又は複数)で希釈され且つフェリ磁性的にドープされた強磁性材料(1つ又は複数)を含み、低飽和磁化(1つ又は複数)を提供する。

Claim (excerpt)：

磁気素子であって、 固定層と、 非磁性であるスペーサ層と、 自由層磁化を有する自由層であって、前記スペーサ層が前記固定層と前記自由層との間に存在し、前記自由層が低飽和磁化を有するように、少なくとも1つの非磁性材料で希釈された少なくとも1つの強磁性材料か、フェリ磁性的にドープされた少なくとも1つの強磁性材料か、又は、少なくとも1つの非磁性材料で希釈され且つフェリ磁性的にドープされた少なくとも1つの強磁性材料を含む、前記自由層と、を備え、 前記自由層が、前記少なくとも1つの非磁性材料で希釈された少なくとも1つの強磁性材料を含む場合、前記自由層は、少なくともCoX、FeX、CoFeX、NiFeX、CoXY、FeXY、CoFeXY、NiFeXY、及び/又はCoNiFeXY(ここで、X又はYは、Cr、Cu、Au、B、Nb、Mo、Pt、Pd、Ta、Rh、Ru、Ag、TaN、CuN、TaCuNである)、及び/又はCoFeX(ここで、Xは、Cr、Cu、Au、Nb、Mo、Pt、Pd、ta、Rh、Ru、Ag、TaN、CuN及びTaCuNである)を含み、 前記磁気素子は、書き込み電流が前記磁気素子を通過する時、前記自由層磁化がスピン転移により切り替えられるように構成されている、磁気素子。

IPC (7)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/26

FI (7)：

H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01F10/26

F-Term (33)：

4M119AA01 ,  4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD03 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA25 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12 ,  5F092AA04 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB43 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC46 ,  5F092BC47 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092CA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-265663   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-179405   Applicant：ソニー株式会社
• スピンバルブ型薄膜磁気素子及びこれを用いた薄膜磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-060753   Applicant：アルプス電気株式会社
• 垂直磁化膜を用いた磁気メモリ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-301771   Applicant：キヤノン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Control of Magnetization Dynamics in Ni81Fe91 Thin Films Through the Use of Rare-Earth Dopants