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J-GLOBAL ID：200903024399358126

多層ビルドアップ配線板及びその製造方法

Inventor：
瀬川 博史

About 瀬川 博史


Applicant, Patent owner：
イビデン株式会社

About イビデン株式会社


Agent (1)： 田下 明人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999043515
Publication number (International publication number)：2000244125
Application date： Feb. 22, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：
【要約】【課題】 ソルダーレジストに高性能な材料を選択できる多層ビルドアップ配線板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半田バンプ76U、76Dは、ソルダーレジスト70に穿設した開口71U、71D下の導体回路158及びバイアホール160に、ニッケルめっき層72及び金めっき層74を介して配設される。ソルダーレジスト70にレーザで開口を穿設するため、感光性樹脂に限定されることなく、ソルダーレジストとして電気特性に優れた種々の材料を用いることが可能となる。
Claim (excerpt)：
少なくとも以下の(a)、(b)の工程を含むことを特徴とする多層ビルドアップ配線板の製造方法:(a)導体回路の形成された基板の表面にソルダーレジスト層を形成する工程、(b)前記ソルダーレジスト層にレーザを照射し、前記導体回路に至る貫通孔を穿設する工程。
IPC (5)：
H05K 3/46 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/00 330 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/38
FI (7)：
H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 X ,  B23K 26/00 H ,  B23K 26/00 330 ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/38 B
F-Term (25)：
4E068AF01 ,  4E068AF02 ,  4E068DA11 ,  5E343AA07 ,  5E343AA36 ,  5E343BB44 ,  5E343DD33 ,  5E343ER12 ,  5E343ER33 ,  5E343ER35 ,  5E343ER45 ,  5E343GG04 ,  5E346AA42 ,  5E346CC08 ,  5E346CC52 ,  5E346DD46 ,  5E346EE19 ,  5E346EE38 ,  5E346FF10 ,  5E346FF23 ,  5E346FF24 ,  5E346FF37 ,  5E346GG15 ,  5E346GG27 ,  5E346HH31
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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