多結晶シリコン半導体薄膜の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮田金雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002010941
Publication number (International publication number)：2003218028
Application date： Jan. 21, 2002
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】多結晶シリコンの突起部を選択的に除去し、かつ表面にプラズマダメージを与えずに多結晶シリコン膜表面を平坦化する方法を提供する。【解決手段】多結晶シリコン薄膜に、アルゴン、ヘリウム、ネオン、窒素の単体ガス、およびそれらを混合したガスクラスタービームを照射する工程を備える多結晶シリコン半導体薄膜の製造方法。さらに、酸素ガスクラスタービームを照射する工程と、前記多結晶シリコン薄膜の表面に形成した酸化物を除去する工程とを備える多結晶シリコン半導体薄膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

多結晶シリコン薄膜にアルゴン、ヘリウム、ネオン、窒素の単体ガス、およびそれらを混合したガスクラスタビームを照射する工程を備えたことを特徴とする多結晶シリコン半導体薄膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (3)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 A

F-Term (21)：

5F052AA02 , 5F052BB02 , 5F052BB03 , 5F052BB07 , 5F052CA08 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052EA15 , 5F052EA16 , 5F052JA01 , 5F110AA18 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP38 , 5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-057587 Applicant：新技術事業団, 三洋電機株式会社
多結晶シリコン薄膜の平坦化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-192145 Applicant：株式会社東芝
薄膜半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-070276 Applicant：セイコーエプソン株式会社, 三菱電機株式会社

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