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J-GLOBAL ID：200903024429789607
窒化物半導体レーザ素子および光学装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (3)：
佐野 静夫
, 山田 茂樹
, 小寺 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003123180
Publication number (International publication number)：2004327879
Application date： Apr. 28, 2003
Publication date： Nov. 18, 2004
Summary：
【課題】高歩留りの窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】n型GaN基板100と、その上に積層された窒化物半導体成長層103とを備える窒化物半導体レーザ素子であって、n型GaN基板100は、面内に、基板中に渡って存在する転位集中領域101と、転位集中領域101を除いた領域である低転位領域とを有し、窒化物半導体成長層103が半導体レーザ素子の活性領域を構成するpn接合を有するとともに、ストライプ状のレーザ光導波領域104を有し、レーザ光導波領域104は、低転移領域に配置され、窒化物半導体成長層103上面から、少なくとも、前記pn接合を構成する界面まで掘り込んだトレンチA121が、レーザ光導波領域104と転位集中領域101との間に設けられる、もしくは、転位集中領域101に設けられる構成とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
窒化物半導体基板と、その上に積層された窒化物半導体成長層とを備える窒化物半導体レーザ素子であって、
前記窒化物半導体基板は、面内に、基板中に渡って存在する転位集中領域と、転位集中領域を除いた領域である低転位領域とを有し、
前記窒化物半導体成長層が半導体レーザ素子の活性領域を構成するpn接合を有するとともに、ストライプ状のレーザ光導波領域を有し、
該レーザ光導波領域は、前記低転移領域に配置され、
前記窒化物半導体成長層上面から、少なくとも、前記pn接合を構成する界面まで掘り込んだ溝部が、前記レーザ光導波領域と前記転位集中領域との間に設けられる、もしくは、前記転位集中領域に設けられることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (7)：
5F073AA64
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073BA06
, 5F073CA07
, 5F073DA05
, 5F073EA28
Cited by examiner (6)
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半導体素子用基板の製造方法および半導体素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-139654
Applicant：富士写真フイルム株式会社
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窒化物系半導体発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-293792
Applicant：松下電器産業株式会社
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半導体薄膜と半導体素子と半導体装置とこれらの製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-336307
Applicant：ソニー株式会社
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