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J-GLOBAL ID：200903024431828504

層内レンズ付き半導体装置およびその製造方法

Inventor：
仲井 淳一

About 仲井 淳一


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002023772
Publication number (International publication number)：2003224251
Application date： Jan. 31, 2002
Publication date： Aug. 08, 2003
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 透明膜と透明膜上に形成されるカラーフィルタやマイクロレンズなどの光学部品との密着性を改善し、歩留まりが良く品質の低下が生じない層内レンズ付き半導体装置を提供する。【解決手段】 層内レンズ付き半導体装置は、受光又は発光素子を内部に備えた半導体基板31と、半導体基板31の受光又は発光部の上に配設された透明材料からなるオーバーコート層40と、該オーバーコート層40上に形成された層内レンズ43と、層内レンズ上に形成された上面が平坦な第1透明膜44と、第1透明膜上に形成された上面が平坦な第2透明膜45とを備える。
Claim (excerpt)：
受光又は発光素子を内部に備えた半導体基板と、半導体基板の受光又は発光部の上に配設された透明材料からなるオーバーコート層と、オーバーコート層上に形成された層内レンズと、層内レンズ上に形成された上面が平坦な第1透明膜と、第1透明膜上に形成された上面が平坦な第2透明膜とを備える層内レンズ付き半導体装置。
IPC (5)：
H01L 27/14 ,  G02B 3/00 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00 ,  H04N 5/335
FI (5)：
G02B 3/00 A ,  H01L 33/00 A ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/10 A
F-Term (26)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA40 ,  4M118CB02 ,  4M118CB14 ,  4M118DA20 ,  4M118EA01 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  5C024CX41 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52 ,  5F041AA06 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CB14 ,  5F049NA04 ,  5F049NB05 ,  5F049PA11 ,  5F049PA14 ,  5F049SZ06 ,  5F049SZ20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 固体撮像素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-249471   Applicant：ソニー株式会社
  • 固体撮像装置とその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-116196   Applicant：ソニー株式会社
  • 固体撮像装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-107029   Applicant：松下電器産業株式会社
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