光導波路の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：亀谷美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998052902
Publication number (International publication number)：1999231160
Application date： Feb. 17, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】コアの高さとコア間の距離の比が大きい場合であっても,容易に上部クラッドを埋め込むことができ,高精度な光導波路を製造することが可能な光導波路の製造方法を提供する。【解決手段】基板の上部にコア及びコアを囲むクラッド層が形成される光導波路の製造方法は,基板11上に下部クラッド層12を形成する工程と,下部クラッド層の上面全体にコア層13を形成する工程と,コア層からコア15を形成する工程と,下部クラッド層及びコアの上面全体に所定の厚さの第1の上部クラッド層16を形成する工程と,コアとコアの間に形成された溝16aに無機SOG膜17を形成する工程と,第1の上部クラッド層及び無機SOG膜の上面全体に第2の上部クラッド層18を形成する工程とを含む。無機SOG膜を形成しているため,溝の幅と高さの比を低下させ,側壁部の傾斜を緩和させることが可能である。

Claim (excerpt)：

基板の上部にコア及び前記コアを囲むクラッド層が形成される光導波路の製造方法であって,基板上に下部クラッド層を形成する工程と,前記下部クラッド層の上面全体にコア層を形成する工程と,前記コア層からコアを形成する工程と,前記下部クラッド層及び前記コアの上面全体に所定の厚さの第1の上部クラッド層を形成する工程と,前記コアとコアの間に形成された溝に緩衝膜を形成する工程と,前記第1の上部クラッド層及び前記緩衝膜の上面全体に第2の上部クラッド層を形成する工程と,を含むことを特徴とする,光導波路の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平3-284707
半導体集積回路装置とその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-264140 Applicant：ソニー株式会社
特開昭63-318752

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