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J-GLOBAL ID：200903024438568990

水素製造装置および水素製造方法

Inventor：
寺野 稔

About 寺野 稔

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杉野 太加良

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村椿 良司

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高沢 義昭

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清水 多可美

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Applicant, Patent owner：
株式会社スギノマシン

About 株式会社スギノマシン


Agent (1)： 佐藤 正年 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998370812
Publication number (International publication number)：2000191303
Application date： Dec. 25, 1998
Publication date： Jul. 11, 2000
Summary：
【要約】【課題】 半導体装置製造工程において多量に発生するシリコン屑を利用して、純度の高い水素を低コストで製造できる装置を提供する。【解決手段】 半導体装置製造ラインに並設される水素製造装置。アルカリ液とシリコンとの混合により水素発生反応を行うための反応槽と、該反応槽へ前記ラインから発生するシリコン屑を集めて原材料として供給するシリコン供給手段と、反応槽へアルカリ液を供給するアルカリ液供給手段と、反応槽の内圧を調整する圧力調整手段と、アルカリ液を所定温度に調整する温度調整手段と、反応槽内で発生した水素ガスを槽外へ回収する水素回収手段と、を備えた。
Claim (excerpt)：
半導体装置製造ラインに並設され、アルカリ液とシリコンとの混合により水素発生反応を行うための反応槽と、該反応槽へ前記ラインから発生するシリコン屑を集めて原材料として供給するシリコン供給手段と、反応槽へアルカリ液を供給するアルカリ液供給手段と、反応槽の内圧を調整する圧力調整手段と、アルカリ液を所定温度に調整する温度調整手段と、反応槽内で発生した水素ガスを槽外へ回収する水素回収手段と、を備えたことを特徴とする水素製造装置。
IPC (2)：
C01B 3/06 ,  B09B 3/00
FI (2)：
C01B 3/06 ,  B09B 3/00 304 P
F-Term (15)：
4D004AA16 ,  4D004AC05 ,  4D004BA03 ,  4D004BA10 ,  4D004CA36 ,  4D004CA37 ,  4D004CB02 ,  4D004CB05 ,  4D004CB13 ,  4D004CB31 ,  4D004CB36 ,  4D004CB41 ,  4D004CC12 ,  4D004DA02 ,  4D004DA20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
  • 特公昭49-004637
  • 特開平4-059601
  • 特公昭49-020878
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Cited by examiner (12)
  • 特公昭49-004637
  • 特公昭49-020878
  • 金属シリコンの再利用方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-313289   Applicant：川崎製鉄株式会社
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