Pat
J-GLOBAL ID：200903024442731545

炭化珪素半導体装置及びその製造方法

Inventor：
竹内 有一

About 竹内 有一

, 
片岡 光浩

About 片岡 光浩


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (3)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003102831
Publication number (International publication number)：2004311695
Application date： Apr. 07, 2003
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：
【課題】ソース領域と第2ゲート層との間でのリークが抑制されたJ-FETを備える炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】SiCオフ基板1の上に順に形成されたN-型ドリフト層2、P+型第1ゲート層3、及びN+型ソース領域4を有する半導体基板5と、半導体基板5に形成されたトレンチ6の内壁上にエピタキシャル成長法によって形成されたN-型チャネル層7と、N-型チャネル層7の上に形成されたP+型第2ゲート層8とが備えられている炭化珪素半導体装置を製造するとき、以下のいずれかの方法を行う。▲1▼N+型ソース領域4をイオン注入により、ファセット面成長領域10と異なる領域に形成する。▲2▼N-型チャネル層7を形成した後、ファセット面成長領域10を研磨等により除去する。▲3▼選択エピタキシャル成長法により、トレンチ6の内壁上にのみN-型チャネル層7を形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
炭化珪素からなる第1導電型のオフ基板(1)と、 前記オフ基板(1)上にエピタキシャル成長法によって形成された第1導電型のドリフト層(2)と、前記ドリフト層(2)上にエピタキシャル成長法によって形成された第2導電型の第1ゲート層(3)と、前記第1ゲート層(3)上にイオン注入により形成された第1導電型のソース領域(4)とを有する半導体基板(5)と、 前記ソース領域(4)及び第1ゲート層(3)を貫通して前記ドリフト層(2)まで達するトレンチ(6)と、 前記トレンチ(6)の内壁上にエピタキシャル成長法によって形成された第1導電型のチャネル層(7)と、 前記チャネル層(7)の上に形成された第2導電型の第2ゲート層(8)とを備える炭化珪素半導体装置であって、 前記ソース領域(4)は、前記チャネル層(7)に存在するファセット面成長領域(10)と異なる領域に配置されていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (3)：
H01L21/337 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808
FI (2)：
H01L29/80 C ,  H01L29/80 V
F-Term (13)：
5F102FA05 ,  5F102GB04 ,  5F102GB06 ,  5F102GC08 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GR01 ,  5F102GR03 ,  5F102GR11 ,  5F102GS03 ,  5F102HC02 ,  5F102HC15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM