炭化珪素半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：恩田博宣 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001259611
Publication number (International publication number)：2003069038
Application date： Aug. 29, 2001
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】新規な構成にて実用性の高い炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】n+SiC基板1の上にn-ドリフト層2と第1のゲート層(p+層)3とp型ソース層4とが順に形成されるとともに、トレンチ6内においてn-チャネル層7を介して第2のゲート層(p+層)8が形成されている。ドリフト層2と第1のゲート層3とソース層4とチャネル層7と第2のゲート層8はエピタキシャル層で形成されるとともに、ソース層とするためのエピタキシャル層4の表層部にはイオン注入によるn+ソース層5が形成されている。

Claim (excerpt)：

SiCよりなる第1導電型のドレイン層(1)の上に、SiCよりなる低濃度な第1導電型のドリフト層(2)と、分離されたSiCよりなる第2導電型の第1のゲート層(3)と、分離されたSiCよりなる第1導電型のソース層(4,5)とが順に形成されるとともに、前記第1のゲート層(3)に対しSiCよりなる第1導電型のチャネル層(7)を挟んでSiCよりなる第2導電型の第2のゲート層(8)を配した炭化珪素半導体装置において、ドリフト層(2)と第1のゲート層(3)とソース層(4)とチャネル層(7)と第2のゲート層(8)をエピタキシャル層で形成するとともに、ソース層とするための低濃度な第1導電型のエピタキシャル層(4)の表層部にイオン注入による高濃度な第1導電型のソース層(5)を形成したことを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/80 , H01L 21/337 , H01L 29/808

FI (2)：

H01L 29/80 V , H01L 29/80 C

F-Term (12)：

5F102FA03 , 5F102GB04 , 5F102GC05 , 5F102GC08 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GR07 , 5F102GT08 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

炭化珪素静電誘導トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-120595 Applicant：富士電機株式会社
特開昭63-128769
特開昭54-066780

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