レジスト用塗布液およびこれを用いたレジスト材料

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川洋子 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995127272
Publication number (International publication number)：1996015859
Application date： Apr. 27, 1995
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】ホトレジスト膜内で照射光が基板からの反射光と干渉することに起因するパターン寸法精度の低下を防止し得るとともに、塗布装置等の機器類の腐食が防止でき、塗布むらのない干渉防止膜をホトレジスト膜上に形成するためのレジスト用塗布液、およびこれを用いたレジスト材料を提供する。【構成】水溶性膜形成成分と特定のフッ素系界面活性剤とを含有させてレジスト用塗布液とする、あるいは該水溶性膜形成成分とフッ素系界面活性剤と特定の化学式で表される陰イオン性界面活性剤とを含有させてレジスト用塗布液とする、または該水溶性膜形成成分とフッ素系界面活性剤と特定の化学式で表される陰イオン性界面活性剤にさらにN-アルキル-2-ピロリドンを添加してレジスト用塗布液とする。さらには、これらレジスト塗布液からなる干渉防止膜をホトレジスト膜表面に形成して二層構造のレジスト材料とする。

Claim (excerpt)：

水溶性膜形成成分とフッ素系界面活性剤とを含有してなるレジスト用塗布液において、前記フッ素系界面活性剤が、一般式(I)【化1】(式中、Rfは、炭素原子数2〜20の飽和または不飽和の炭化水素基の水素原子の一部または全部をフッ素原子で置き換えたフッ素化炭化水素基である)で表される化合物とアルカノールアミンとの塩、および一般式(II)【化2】(式中、R’fは、炭素原子数2〜20の飽和または不飽和の炭化水素基の水素原子の一部または全部をフッ素原子で置き換えたフッ素化炭化水素基である)で表される化合物とアルカノールアミンとの塩の中から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とするレジスト用塗布液。

IPC (3)：

G03F 7/004 504 , G03F 7/004 506 , H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

表面反射防止コーティングフィルム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-128453 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
レジスト表面反射防止膜形成性組成物及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-126265 Applicant：三菱化成株式会社
特開平4-249257

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